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AI 芯片真正的咽喉:先进封装卡在哪里?

一篇按公开来源重审的先进封装产业链研究,从 AI 需求、CoWoS 与 EMIB、材料和设备、HBM、OSAT 区域化到 UCIe 标准,区分公司披露、研究机构估算和仍待复核的市场说法。

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Luke Xu发布 2026-06-23更新 2026-07-31约 18 分钟
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研究范围与证据口径

公开资料复核截至 2026-06-29。证据分成四类:官方标准、公司技术页或产品页;公司新闻、IR 或跨公司公告;可信市场研究公开稿或主流新闻;券商和行业材料。最后一类仅作线索,不作为确定事实依据。

下文的数字、市场规模、份额、产能、产品规格、客户关系和技术判断均对应公开来源。缺少一手材料或强信源交叉验证的说法标为待复核,不作为确定事实。

**结论:**先进封装的瓶颈不是“封测厂产线不够”这么简单,而是 AI 加速器需求同时吸收 HBM、CoWoS/先进封装和先进逻辑产能;真正的咽喉集中在 CoWoS 类容量、HBM 供应、ABF 绝缘膜、混合键合设备、TGV/玻璃工艺和少数 OSAT 区域化通道。

事实 / FACTS

确定事实来自官方资料、公司公告、研究机构公开稿或主流新闻。精确设备市占、封装经济性、特定子路线良率、平台份额、客户产能绑定和专利结论等说法,目前公开材料不够,仍属待复核信息。

假设 / ASSUMPTIONS

“咽喉”是本文的研究判断,依据是公开来源支持的集中度、工艺难度、客户认证和供需吸收情况。它不是第三方市场份额排名。

观点OPINION

跟踪先进封装,优先看“工艺模块和材料设备依赖”,而不只是看 OSAT 名单。AI 算力真正的供给弹性,往往被隐藏在 ABF、HBM、键合、减薄、TGV 和测试认证里。

为什么先进封装成了 AI 算力瓶颈

AI 加速器的核心变化,是单颗逻辑芯片不再独自决定系统性能。HBM、CoWoS/先进封装、逻辑裸片和辅助器件共同构成成本和产能约束。Epoch AI 估算,在 NVIDIA、AMD、Google、Amazon 四家 AI 芯片设计方的加权平均口径下,HBM 在 AI 芯片零部件支出中的占比从 2024Q152% 上升到 2025Q463%,先进封装从 19% 降至 15%,逻辑裸片约 13%,辅助器件从 15% 降至 9%。

63%
HBM 占 AI 芯片零部件支出,2025Q4 Epoch 估算
15%
CoWoS / 先进封装占 AI 芯片零部件支出,2025Q4 Epoch 估算
~13%
逻辑裸片占 AI 芯片零部件支出,2025Q4 Epoch 估算

Epoch AI 还估算,NVIDIA、Google、AMD、Amazon 在 2025 年消耗了约 90% 的全球 CoWoS 产能和 HBM 供应,同时只消耗了约 12% 的先进逻辑裸片产量。这个对比说明,AI 芯片扩张的短板更偏向 HBM 与先进封装,而不是单纯的先进制程 wafer。

Epoch 图表说明中进一步估算,NVIDIA 单独占到 2025 年全球 CoWoS 供应约 60%、HBM 供应约 69%、先进逻辑供应约 9%。这些数字是 Epoch 估算,并非 TSMC 或 NVIDIA 披露。

SRC-EPOCH-COST-SHARES-2026AI Chip Component Costs: Memory at 63% SRC-EPOCH-COMPONENTS-METHODOLOGYAI Chip Components Documentation - Methodology SRC-EPOCH-BOTTLENECKS-2026Advanced packaging and HBM were the bottlenecks on AI chip production in 2025

市场、产能与成本结构

先进封装的市场规模、CoWoS 产能和 AI 芯片成本占比来自不同方法论,不能混成同一张“确定事实表”。Yole 的 TAM 是市场收入口径,TrendForce 的 CoWoS 是产能与供需估算,Epoch 的组件成本是 AI 芯片设计方加权模型。

$46B
2024 年全球先进封装 TAM,Yole
>$79.4B
2030E 全球先进封装 TAM,Yole
120k-140k
2026E TSMC CoWoS 月产能,TrendForce 报道
指标口径来源
2024 年全球先进封装市场约 460 亿美元,同比增长 19%市场收入口径Yole Group 公开稿
2030E 全球先进封装市场预计超过 794 亿美元市场预测Yole Group
2026 年 TSMC CoWoS 月产能可能达到 12 万-14 万片产能估算,非 TSMC 指引TrendForce 报道
2026 年 OSAT 伙伴可能新增 5 万-6 万片/月产能估算TrendForce 报道
2026 年行业合计可能接近 20 万片/月TSMC + OSAT partner 报道口径TrendForce 报道
2026 年底,CoWoS 供需缺口可能从约 20% 收窄到约 10%供需估算TrendForce 报道

Yole 还在公开监测页披露,先进封装收入在 2025Q4 环比增长约 3%,接近 150 亿美元,并预计 2026Q1 环比下降。该条只适合作为季度景气提示,不能替代年度 TAM。

SRC-YOLE-AP-MARKET-2030Advanced packaging market set to reach $79.4 billion by 2030 SRC-YOLE-AP-MONITOR-2026Advanced Packaging Market Monitor SRC-TRENDFORCE-COWOS-2026-0615TSMC CoWoS supply-demand gap reportedly seen narrowing by end-2026

技术平台:CoWoS、InFO、SoIC、EMIB、Cube

先进封装平台可以先按“互连底板”理解:CoWoS-S 偏整片硅中介层,InFO 偏扇出与 RDL,SoIC/Foveros 偏垂直堆叠,EMIB 偏局部硅桥,Samsung Cube 家族覆盖水平与垂直异构集成。

01封装结构剖面:局部硅桥 vs 整片中介层
Bridge vs interposer: Intel EMIB and TSMC CoWoS package cross-sectionsIntel EMIB embeds a local silicon bridge (RDL only, no TSV) in the organic substrate for die-to-die routing; TSMC CoWoS places the dies on a full silicon interposer with RDL and TSVs above the organic substrate. Both stacks share logic die, HBM, bumps, substrate, BGA and PCB layers.Intel EMIBTSMC CoWoSLogic dieHBMDiesilicon bridge (local)RDL onlyno TSVC4organic substrateBGAPCBbump pitch~45μmEMIB-T adds TSVLogic dieHBMDiemicrobumpsilicon interposer(full) · RDL + TSVC4organic substrateBGAPCBmicro-bump pitch~35–55μm typicalsilicon bridge (local)silicon interposer (full)
说明 · NOTE

剖面为定性示意。Intel EMIB 用局部硅桥,TSMC CoWoS-S 用硅中介层与 TSV。具体技术定义以 Intel、TSMC 官方资料为准。

平台可验证事实来源
TSMC CoWoS-S使用硅中介层服务 AI、超级计算等高性能应用,可在大中介层面积上承载逻辑 chiplet 与 HBM cubeTSMC 3DFabric
TSMC CoWoS-STSMC Research 将其描述为 TSV-based 多芯片集成技术,用于 HPC 与 AI accelerator 场景TSMC Research
TSMC InFO晶圆级系统集成平台,使用高密度 RDL 与 Through-InFO Via,覆盖 mobile 与 HPC 应用TSMC
TSMC SoIC将同质或异质 chiplet 集成为 SoC-like 芯片,并可与 CoWoS、InFO 整合TSMC 3DFabric
Intel EMIB 3.5DIntel Foundry 将其定位为 EMIB 与 Foveros advanced die-stacking 结合的混合设计Intel Foundry
Samsung AHISamsung Foundry 称其异构集成方案通过 advanced packaging 与 die-to-die interconnect 集成 compute dies 和 HBMSamsung Foundry
Samsung Cube 家族Samsung 将 I-Cube、H-Cube、X-Cube 放在水平与垂直集成轴线上说明Samsung Semiconductor

Yole 在 high-end performance packaging 语境中,把 2.5D/3D、fan-out 和 high-density flip-chip 都纳入 chiplet 与异构集成路线。该 conference PDF 可支持分类背景,不能支持精确产能或份额。

工艺模块:从中介层到混合键合

比“公司是谁”更重要的是“模块依赖什么”。这里按工艺模块拆开依赖关系:

工艺模块依赖关系来源
CoWoS-SCoWoS-S 依赖 silicon interposer、TSV,并把 logic 与 HBM 集成在大面积中介层上TSMC / TSMC Research
InFO / fan-outInFO 使用 high-density RDL 与 TIV;RDL / fan-out 路线会牵动 PSPI 与 EMC 等材料TSMC / Resonac / Toray
SoIC / FoverosSoIC 和 Foveros 代表垂直堆叠方向,核心约束转向 bonding、薄晶圆处理和洁净表面TSMC / Intel
Hybrid bonding混合键合依赖专用 hybrid bonding platform,Besi、EVG、ASMPT/IBM 生态是可验证节点Besi / EVG / IBM / ASMPT
TCBASMPT FIREBIRD TCB 的官方规格包括 +-2.0 um placement accuracy 和 小于 2 handling cycle timeASMPT
Thin wafer / DBGDISCO 的 dicing-before-grinding 工艺在减薄前半切晶圆,降低已减薄晶圆处理风险DISCO
Glass / TGV玻璃路线依赖 TGV,LPKF LIDE 和 Corning glass wafer/carrier 是公开资料可验证节点LPKF / Corning / Intel

封装经济性、面板利用率、CoWoS ASP、特定子路线良率等精确数字,仍缺少足够的公开材料。

材料层:ABF、PSPI、Underfill、玻璃

材料层的关键不是“有哪些材料”,而是每一种材料卡在哪个工艺窗口。ABF 是高性能封装基板的层间绝缘核心,Underfill 和 EMC 管可靠性与应力,PSPI 进入 RDL/advanced packaging 介质层,临时键合材料与玻璃 carrier 保障薄晶圆处理,玻璃 core/TGV 则是下一代封装路线的前置条件。

材料可验证事实来源
ABFAjinomoto 称 ABF 在 1999 年被一家大型半导体制造商首次采用后,成为几乎所有高性能 CPU 的封装材料选择Ajinomoto
ABFAjinomoto / Ajinomoto Fine-Techno 称 ABF 在多数电脑和相关设备的层间绝缘膜市场接近 100% 份额;这不是 ABF 载板厂份额Ajinomoto / AFT
UnderfillResonac 将 underfill 描述为密封并强化芯片与基板间隙、缓解焊点应力的 polymer materialResonac
EMCResonac 半导体 epoxy molding compound 用于密封和保护 semiconductor package 中 chip 周边区域Resonac
PSPIToray 的 photodefinable polyimide sheet 样例支持 10 um diameter via in 10 um thick sheetToray
PSPIAsahi Kasei 称 PIMEL PSPI 与 SUNFORT dry film photoresist 用于 advanced semiconductor packaging,并与 AI data center package 高密度化相关Asahi Kasei
Temporary bondingBrewerBOND 305 被描述为临时 wafer bonding 材料,可用标准半导体设备处理 ultrathin wafer 的 BEOL 流程Brewer Science
Glass / TGVLPKF 称 LIDE 可在 advanced semiconductor manufacturing 中实现 scalable crack-free glass structuring 和 high-precision TGVLPKF
Glass substrateIntel 将 glass substrate 定位为本 decade 后段的 next-generation advanced packaging route,用于突破 organic material 限制、改善 AI/data-center package design rulesIntel
Glass carrierCorning 提供用于 wafer thinning、fan-out packaging 和 advanced 2.5D/3D packaging 的 temporary bonding high-precision glass carrierCorning

ABF film 与 ABF substrate 是不同口径。公开资料能支持 Ajinomoto 在“层间绝缘膜”这个具体口径上的近乎全覆盖,但不能代表所有 ABF 载板、IC substrate 或封装厂份额。

设备层:键合、TCB、减薄与 TGV

设备层的可验证事实支持“少数关键平台很重要”这个判断,但还不足以支撑 D2W / W2W 精确市占。集中度依据来自公司技术页、公司订单和 Reuters 报道。

设备/节点可验证事实来源
Besi hybrid bondingBesi 的 Datacon 8800 CHAMEO hybrid bonding platform 面向 ultra-high accuracy、high throughput、high-density interconnect 和 3D integrationBesi
Applied / BesiReuters 报道 Applied Materials 在 2025 年取得 Besi 9% 股份,将其描述为围绕 advanced packaging 与 hybrid bonding 的战略动作Reuters
Besi strategic valueReuters 在 2026 年报道 Besi 因 next-generation AI 和 HPC chip 的 hybrid bonding demand 吸引 takeover interestReuters
EVG HICCEVG 的 Heterogeneous Integration Competence Center 结合 wafer bonding、thin-wafer handling、lithography、pilot-line production facilitiesEV Group
ASMPT TCBASMPT FIREBIRD TCB 面向 2D、2.5D、3D heterogeneous integration,placement accuracy 为 +-2.0 um,handling cycle time 小于 2ASMPT
ASMPT ordersASMPT 在 202512 月宣布获得 15 C2S TCB tools 追加订单,客户为某 leading foundry 的 major OSAT partnerASMPT
IBM / ASMPTIBM 与 ASMPT 在 2024 年续展合作,推进用于 AI chiplet package 的 thermocompression 和 hybrid bondingIBM / ASMPT
DISCO DBGDISCO 的 dicing-before-grinding 在 thinning 前 half-cut wafer,并在 grinding 中分离 die,以减少已减薄晶圆处理DISCO
SRC-REUTERS-AMAT-BESI-2025Applied Materials becomes largest shareholder of BESI SRC-REUTERS-BESI-2026Besi fields takeover interest on surging demand SRC-ASMPT-TCB-ORDERS-2025ASMPT secures additional orders for fifteen C2S TCB tools

HBM 与供应商路线

HBM 需要和封装一起读。它既是 AI 芯片成本中的最大组件,也是 CoWoS 类封装需求的核心来源。HBM3E、HBM4 和 HBM4E 的状态不同,样品、量产准备和 high-volume production 也属于不同阶段。

SK 海力士 / SK hynix 是 HBM 的明确供应商节点。公开资料能直接支撑两条说法:HBM4 开发完成并准备量产,以及 12-layer HBM4E sample。HBM3E 份额或出货领先判断仍缺少足够的公开材料。

节点可验证事实来源
HBM4 standardJEDEC 发布 JESD270-4 HBM4 standard,将其定位为 HBM3 之后面向 higher bandwidth、power efficiency、increased capacity 的演进JEDEC / BusinessWire
SK hynix HBM4SK hynix 在 20259 月宣布完成 HBM4 开发并准备量产SK hynix
SK hynix HBM4ESK hynix 在 20266 月宣布向主要客户提供 12-layer HBM4E samples,并声称最高 16Gbps per pinSK hynix
Samsung HBM4Samsung 在 20262 月宣布 commercial HBM4 shipment,并预计 2026 年 HBM sales 较 2025 年增长超过 3Samsung
Micron HBM4Micron 在 20263 月宣布 HBM4 36GB 12H high-volume production,面向 NVIDIA Vera Rubin,带宽 高于 2.8 TB/s,能效较其 HBM3E counterpart 提升 20%+Micron
12-layer
SK hynix HBM4E sample 口径,非量产口径
>2.8 TB/s
Micron HBM4 36GB 12H 公司口径
20%+
Micron 声称相对 HBM3E counterpart 的能效提升

HBM stack 单价、HBM3E 涨价、国产 HBM 良率、客户长约锁满等数字,公开资料还不够,仍属待复核信息。

OSAT、区域化与标准

OSAT 的角色正在从“后段加工”变成区域化供应链的一部分。公开资料能直接支撑的事实,集中在 ASE 平台能力、Amkor 与 TSMC/AMD 的合作、MediaTek 对 CoWoS/EMIB 的双平台支持,以及通富微电公司新闻中披露的先进封装产线能力。

主体可验证事实来源
ASE VIPackASE VIPack 包括 high-density RDL fan-out variants、FOCoS、FOCoS-Bridge、FOSiP、TSV-based 2.5D/3D IC architecturesASE
ASE 2.5D/3DASE 称其 2.5D/3D packaging 可集成 GPU、CPU 和 memory,并以 silicon interposer TSV 衔接 assembly substrate 与 integrated circuit board 的 fine-pitch gapASE
Amkor technologyAmkor 将 2.5D、chiplets、CPO、TSV、SiP、flip chip、MEMS、3D stacked die 列为 advanced packaging technologiesAmkor
Amkor / TSMCAmkor 与 TSMC 在 2024 年签署 MOU,合作 Arizona advanced packaging 和 test capabilitiesAmkor IR
Amkor / TSMCTSMC 与 Amkor 在 2026 年宣布 long-term partnership,为 TSMC 向 Amkor 采购 advanced packaging 和 testing services 建立框架Amkor IR
Amkor / AMDReuters 在 20265报道 Amkor 正与 AMD 合作 advanced packaging,并在 Arizona 扩大生产园区用地Reuters
MediaTekReuters 报道 MediaTek 称其同时支持 TSMC CoWoS 和 Intel EMIB,让客户可选择Reuters
Tongfu通富微电称其 advanced packaging production line 将支持 2.5D/3D advanced packaging 与 applied to HBM 的 high-performance packaging technology;该信息仅有公司新闻支持,属于公司自报口径Tongfu Microelectronics
UCIeUCIe specification 覆盖 standardized die-to-die interconnect,包括 physical layer、protocol stack、software model 和 compliance testingUCIe Consortium

中国 OSAT 目前可确认的信息仅到通富微电公司新闻口径。其他中国 OSAT 平台的量产状态、资本开支与验证状态,仍需要年报、交易所公告或客户发布来确认。

咽喉判断与事实边界

本文的咽喉判断按“需求吸收、工艺难度、材料集中、设备平台、区域化可得性”排序。它是基于上文证据层的研究判断,不是第三方排名或外部份额表。

咽喉主题为什么列入本文重点来源
CoWoS / 先进封装产能TrendForce 报道 TSMC CoWoS 与 OSAT 伙伴 2026E 扩产仍对应供需缺口收窄过程;Epoch 估算头部 AI 设计方吸收 CoWoS 与 HBM 供应TrendForce / Epoch AI
HBMEpoch 成本模型显示 HBM 是 AI 芯片零部件支出最大项;HBM4 供应商处在标准、量产准备、样品和 high-volume production 的不同阶段Epoch AI / JEDEC / 存储厂商
ABF filmAjinomoto / AFT 官方口径支持 ABF 在特定层间绝缘膜市场的近乎全覆盖,且要与 ABF substrate 厂商份额分开Ajinomoto / AFT
Hybrid bondingBesi、EVG、ASMPT/IBM、Applied/Besi 的可验证信息显示该环节具有高战略价值;公开信息尚不足以支持精确设备市占Besi / EVG / ASMPT / Reuters
TGV / glassLPKF、Intel、Corning 的官方资料支持玻璃/TGV 是下一代 advanced packaging 路线的重要工艺栈,但不支持“唯一供应商”表述LPKF / Intel / Corning
OSAT 区域化Amkor 与 TSMC、AMD 的合作信号体现 advanced packaging/test 的区域化;通富微电信息仅有公司新闻支持Amkor / TSMC / Reuters / 通富微电
最后判断 · BOTTOM LINE观点OPINION

先进封装的核心不是“谁能封装”,而是谁能在 HBM、CoWoS/中介层、ABF、混合键合、TGV/玻璃与区域化 OSAT 之间形成可验证、可放量、可认证的闭环。

  1. Q1TrendForce 后续是否继续上调 2026E CoWoS 与 OSAT partner capacity?
  2. Q2HBM4 的量产、样品和 high-volume production 口径能否被三家供应商财报继续验证?
  3. Q3ABF film 与 ABF substrate 的供需紧张是否出现可验证的官方或研究机构数据?
  4. Q4Hybrid bonding 是否出现可引用的第三方设备份额报告,足以支撑精确市占数字?
  5. Q5China OSAT 的 2.5D/3D/HBM 相关能力能否由年报、交易所公告或客户发布验证?

仍待复核的线索

精确混合键合设备份额、先进封装代工精确份额、客户产能绑定的非研究估算口径、封装经济性、特定子路线良率、特定消费电子客户生产时间线、专利不可绕开结论,以及中国 OSAT 的详细量产 / 验证状态,仍需要更强公开来源。这些方向属于后续跟踪线索,尚非已经确认的产业事实。

版本记录v1.0 首发 · v1.32026-07-31 更新 · 内容升级

本文为先进封装产业链科普与研究梳理,非投资建议、不构成证券买卖要约。公开事实优先采用官方技术页、公司公告、研究机构公开稿和 Reuters 等主流新闻;估算、公司自报和单一来源信息均按来源口径标注。公开材料不足的精确市占、成本、良率、客户绑定和专利判断,本文暂不下结论。

本文包含前瞻性陈述与示意性估算,仅供研究与信息参考,不构成对任何证券的买卖要约或投资建议。所引数据可能与最终披露存在差异,读者应独立核实并自行判断。

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